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STS1HNK60中文资料

STS1HNK60图片

STS1HNK60外观图

  • 大小:298.7KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述:N-CHANNEL 600V - 8 OHM - 0.3A SO-8 SUPERMESH POWER MOSFET
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SuperMESH™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:300mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8.5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:156pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:497-3530-2

STS1HNK60供应商

更新时间:2023-01-17 19:52:10
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